亿铸科技3D DRAM突破：全数字通用存算一体完成流片验证

在2026世界人工智能大会的「重构算力」产业链论坛上，亿铸科技联合创始人兼总裁徐芳披露了一个关键节点：亿铸科技3D DRAM全数字通用存算一体AI芯片已经走通流片。对存算一体赛道而言，这不只是产品进展，更意味着亿铸科技3D DRAM把架构设计、介质选择和芯片实现串成了可验证的工程闭环。

架构之变：从“搬运数据”到“消灭搬运”

传统冯·诺依曼架构下，存储与计算分离的设计导致数据在存储单元与计算单元之间反复搬运，造成带宽与时延瓶颈，并产生极高的额外能耗。行业内一个公认的判断是：当前AI计算中数据搬运成本已远超计算本身成本，存储墙、能耗墙成为制约算力的两大核心瓶颈。

存算一体架构正是为破解这一行业痛点而生。它将计算电路嵌入存储阵列中，大幅缩短数据搬运的距离，实现低能耗、高吞吐、低延时的协同计算，精准适配大模型长上下文、高并发推理等场景需求。

亿铸科技早在2022年便敏锐捕捉到3D DRAM的产业发展潜力，持续开展相关技术探索与前期研发储备，精准预判大模型时代对大容量、大带宽、高性价比算力的长期刚需。其全数字3D DRAM存算一体方案通过架构原生计算能力，提升了带宽利用效率与并发处理能力，有效满足了单卡大吞吐、大并发的实际需求。

介质之选：为什么是3D DRAM

存储介质的选择直接决定了存算一体芯片可承载的模型规模和商用可行性。长期以来，存算一体芯片受限于介质容量，难以支撑大模型对海量参数与高并发的需求。3D DRAM凭借大容量、高稳定性与突出的性价比，成为亿铸科技在介质层面的核心选择。

亿铸科技创始人、董事长兼CEO熊大鹏博士在谈及选择逻辑时表示：“3D DRAM的容量、稳定性、性价比，综合考虑下来是最好的，未来还会做得更大。3D堆叠不只是提升容量，还能显著拉高存储带宽与数据吞吐能力。”

容量和成本是亿铸科技选择3D DRAM的根本原因，3D堆叠结构在提升容量的同时显著拉高存储带宽与数据吞吐能力，为存算一体芯片突破容量限制提供了介质基础。

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全数字方案：精度与能效的双重保障

在技术路径上，存算一体分为模拟与数字两大方向。模拟方案虽能提升能效比，但受工艺和环境波动影响，难以满足大算力场景对精度的要求。数字存算一体凭借高精度、高可靠、易兼容通用计算等优势，已成为行业主流选择。

亿铸科技选择的全数字化存算一体方案，具备以下几方面特点：

- 无需模数转换：不依赖ADC/DAC，不受信噪比影响，从原理上规避了模拟计算带来的精度损失与IR-DROP等问题；

- 高精度覆盖：精度可达32bit甚至更高，覆盖FP16、FP8等主流推理精度，并面向FP4等低精度计算持续演进；

- 面积与能耗用于计算本身：通过稀疏化设计原理，将芯片资源集中于数据计算，实现大算力与高精度的多维度满足。

流片验证与性能表现

流片是芯片设计从理论走向硬件的关键节点。亿铸科技基于3D DRAM的全数字存算一体AI芯片成功流片，完成了从架构设计到物理实现的完整闭环。

经测试验证，其核心性能指标如下：

- 综合表现：对比主流云端GPU，可实现约2倍性能提升、约1/5功耗、约1/6成本；

- TCO优势：大模型推理场景下，同等业务规模的推理算力综合TCO最高可下降约88%；

- 软件生态：自研YICA软件栈支持算子“一键生成”和“自动优化”，兼容CUDA与PyTorch双生态，大幅降低部署和迁移成本。

流片成功，只是把“能不能做出来”变成了“已经做出来”，真正的考验才刚开始。亿铸科技3D DRAM全数字通用存算一体芯片完成硬件验证后，还需在软件生态、客户适配和规模化交付上继续证明自己。面向数据中心、云计算和大模型推理，亿铸科技3D DRAM路线若能把工程闭环转化为稳定商用能力，就有望在国产算力体系中占据更实在的位置。接下来，公司也将继续推进生态兼容与客户验证，让存算一体从技术亮点走向批量落地。